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- ...된 회로를 해석하는 것이 회로이론(회로망)이다. 능동소자로는 [[다이오드]], [[접합형 트랜지스터|BJT]], [[장효과 트랜지스터|FET]] 등이 있고 이것들은 전자회로에서 해석한다. 능동소자의 결합으로 [[연산 증폭기]](op amp)을 만들 수 있고 이것 역시 전자회로 ...소자를 SPICE 모델링 입력 파일을 만들어 입력하면 회로를 해석 할 수 있다. 보통 SPICE에서 R, L, C, 다이오드, BJT,FET, OP amp, 논리소자 등의 전자소자를 시뮬레이션 할 수 있다. 좀 복잡한 회로는 SPICE 모델링이 불가능한 경우도 있다. ...5 KB (58 단어) - 2022년 7월 3일 (일) 13:50
- <math> K_{\mathrm{fet}}\cong K^{\flat}_{\text{fet}}</math> ...xt{fet}}\cong ((R^a)^{\flat}/\pi)_{\text{fet}}\cong ((R^a)^{\flat})_{\text{fet}}\cong ...12 KB (1,138 단어) - 2024년 6월 5일 (수) 02:43
- [[파일:FET cross section.png|섬네일|장효과 트랜지스터의 단면]] '''장효과 트랜지스터''' 또는 '''전계효과 트랜지스터'''({{lang|en|field effect transistor}}, 약자 FET)는 게이트 전극에 [[전압]]을 걸어 채널의 [[전기장]]에 의하여 [[전자]] 또는 [[양공 (물리학)|양공]]이 흐르는 관문(게이트 ...13 KB (517 단어) - 2022년 3월 25일 (금) 00:43
- * FET 증폭기 ...5 KB (139 단어) - 2024년 5월 8일 (수) 21:53
- ...istors:FETs)로 구분된다. 트랜지스터는 보통 입력단, 공통단 그리고 출력단으로 구성되어 있다. 입력단과 공통단 사이에 전압 (FET) 또는 전류(BJT)를 인가하면 공통단과 출력단 사이의 전기전도도가 증가하게 되고 이를 통해 그들 사이의 전류흐름을 제어하게 된다. 아 증폭이란 전압이나 전류가 몇 배로 변환되는 것을 말한다. [[접합형 트랜지스터|BJT]]든 [[전계효과 트랜지스터|FET]]든 전자적 측면에서 정해진 비율로 커지는 것을 증폭이라고 말할 수 있다. ...22 KB (972 단어) - 2025년 2월 4일 (화) 08:55
- * [[다이오드]], [[트랜지스터]]([[접합형 트랜지스터|BJT]], [[전계효과 트랜지스터|FET]]), [[사이리스터]] ...6 KB (96 단어) - 2024년 10월 26일 (토) 09:49
- ...T)으로 분류한다. (또한 일반적으로 nMOSFET, pMOSFET, NMOS FET, PMOS FET, nMOS FET, p-MOS FET. etc..라고도 함) ...트랜지스터 소자가 하나의 BJT-FET를 포함하는 경우에는 양극성 장효과 트랜지스터 ({{lang|en|Bipolar-FET, Bi-FET}})라고 부르며 상보성 BJT-FET를 포함하는 경우에는 [[양극성 시모스]]({{lang|en|Biplar-CMOS, BiCMOS}} ...44 KB (789 단어) - 2025년 3월 13일 (목) 15:09
- BJT를 사용한 대표적인 경우가 TTL 계열 74시리즈가 대표적이고, FET [[CMOS]]를 사용한 4000시리즈가 구현되어 칩화되었다. ...제거하고 다음과 같이 출력하는 것을 오픈-컬렉터 (Open-Collector, TTL 게이트) 또는 오픈-드레인(Open-Drain, FET 게이트)라고 한다. ...27 KB (617 단어) - 2024년 5월 18일 (토) 01:19