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  • ...호 전력의 세기를 봄으로써 상대적인 신호 전력 크기를 나타내기 위함이다. 이는 통신 시스템의 성능이 절대적인 신호 전력이 아닌 노이즈 전력 대비 신호의 전력으로 결정되기 때문이다. 통신 시스템의 성능에는 최대 달성 용량인 채널 용량, 신뢰성을 나타내는 오류율 그리고 얼마나 [[분류:전자공학]] ...
    2 KB (172 단어) - 2024년 9월 16일 (월) 15:59
  • '''이득'''(利得,gain)은 [[전자 공학]]에서 [[증폭기]]와 같은 [[전기 회로]]가 [[신호 (전자공학)|신호]]나 [[일률|출력]]을 [[증폭]]하는 [[비 (수학)|비율]]이다. 대개의 경우 전기 회로의 입력 신호 대비 출력 신호의 비 이득은 전기 신호의 증폭 뿐 아니라 [[전압]], [[전류]], [[전력]] 등의 증폭에도 적용된다. 또한, 이득은 [[센서]]의 측정 방식에 따라 다른 값이 될 수도 있다. 이 때문에 이득을 표기할 때에는 ...
    4 KB (181 단어) - 2024년 9월 16일 (월) 15:46
  • [[분류:전자공학]] [[분류:교류 전력]] ...
    1 KB (129 단어) - 2025년 2월 4일 (화) 07:28
  • [[파일:Graduate_School_Project_(2870679632).jpg|오른쪽|섬네일| RF 전력 증폭기]] [[파일:MFR317_FM_amp.jpg|섬네일| 트랜지스터 MRF317을 기반으로 하는 클래스 C VHF 전력 증폭기.]] ...
    5 KB (139 단어) - 2024년 5월 8일 (수) 21:53
  • * [[전력]] [[분류:전자공학]] ...
    4 KB (184 단어) - 2025년 3월 3일 (월) 08:00
  • [[파일:D2PAK.JPG|섬네일|250px|[[표면실장 기술|표면실장]] 패키지 D2PAK2의 두개의 전력 모스펫. 각각의 이 요소는 30 [[볼트 (단위)|볼트]]의 차단전압과 120 [[암페어]]의 지속전류를 유지할 수 있다.]] ...ET}})은 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 [[금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터]] (MOSFET)의 특정 종류이다. 다른 [[전력 반도체 소자]] ([[절연 게이트 양극성 트랜지스터]] (IGBT), [[사이리스터]]들에 비해 주요한 장점은 낮은 전압에서 통신 속도 ...
    21 KB (588 단어) - 2024년 12월 5일 (목) 10:25
  • ...로 자기장 회전 속도를 변경하기 위해 스위치를 켜고 끌수 있는 전동기에 코일 또는 전극 세트를 추가하면서 변경되었다. 그러나 [[전력 전자공학]]의 발전은 현재 전동기의 속도보다 부드러운 제어를 제공하기 위해 전원 주파수가 달라질수 있음을 의미한다. ...
    6 KB (141 단어) - 2024년 5월 5일 (일) 15:08
  • {{본문|전력}} * <small> V:전압, P:전력, I:전류, R:저항 </small> ...
    16 KB (790 단어) - 2025년 3월 13일 (목) 12:41
  • 의존성 소스는 회로의 다른 부분으로부터 영향을 받는 소스이다. 보통 전력, 전압, 전류가 전달되는 소스이다. [[분류:전자공학]] ...
    9 KB (297 단어) - 2025년 2월 24일 (월) 15:48
  • * [[고전 전자기학|전기 이론]]: [[옴의 법칙]], [[전력]], [[전압]], [[전류]] [[분류:전자공학]] ...
    12 KB (488 단어) - 2024년 8월 18일 (일) 17:14
  • ...[[전류]]의 크기를 조절하는 장치로, [[진공]]관을 대체하여 [[저마늄]], [[규소]] 등 [[반도체]]를 이용하여 [[신호 (전자공학)|전자 신호]] 및 전력을 [[증폭 회로|증폭]]하거나 [[스위칭 (전기)|스위칭]]하는 데 사용되는 [[반도체 소자]]이다.<ref> 논리1의 전압 <math>V_{CC}</math>는 초기에 5V를 사용하였다. 그러나 전압이 높으면 동작 속도와 전력 면에서 불리하다. 그래서 지금은 3.3V을 많이 사용하고 이 전압보다 낮은 전압을 사용하기 한다. 그러나 이 전압은 무한정 낮게 설정할 ...
    22 KB (972 단어) - 2025년 2월 4일 (화) 08:55
  • ...이와 반대현상이 일어난다. 스위칭이 일어나는 시간 동안 전압은 상태가 바뀌며 짧은 순간 양쪽 모두 도전상태가 된다. 이와 같은 배치로 전력 손실과 발열이 현저히 감소한다. [[집적회로]]에서는 더 많은 트랜지스터를 더 작은 칩으로 집적하기 때문에 과열은 중요한 해결과제였다. 전력 모스펫은 [[열폭주]]의 위험이 있다. 온상태 저항이 온도에 따라 증가함에 따라, 부하가 근사적으로 일정 전류를 소비하면 전력손실이 증 ...
    44 KB (789 단어) - 2025년 3월 13일 (목) 15:09
  • ...원칙적으로 H나 L의 [[전압]] [[인가]]가 되어 있어야 한다. H와 L의 중간 전압이 되게 되면 내부 상태가 불안정하게 되거나 전력 소비가 증가한다. 그리고 L보다 낮은 전압이나 H보다 높은 전압이 인가되면 방해 전류 흐름이 생겨서 회로를 파괴할 수 있다. [[분류:전자공학]] ...
    27 KB (617 단어) - 2024년 5월 18일 (토) 01:19