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| ElectronMobility = 200 cm²/(V·s) (cBN) [[분류:III-V 반도체]] ...

...기의 혼합물로부터 성장시킬 수 있다. 기상 에피택시(vapor-phase epitaxy; VPE)는 전자소자에서 사용되는 특히 중요한 반도체 재료의 원천이다. GaAs와 같은 일부 화합물은 다른 방법보다는 기상 에피택시 기법에 의하여 보다 순수하고 결정구조가 완전하게 성장시킬 ...화합물 반도체의 결정 성장 조건을 생성한다. 전통적인 실리콘 반도체와는 달리, 이들 반도체는 III-V족, II-VI-IV족, IV-V-VI족의 조합을 포함할 수 있다. ...

...스핀 1/2 입자들(즉, [[파울리 배타 원리]]를 따르는)로 구성된 시스템, 예를 들면, 고체와 액체의 전자, 그리고 중요하게는 [[반도체]]의 전도에 적용되는 [[페르미-디랙 통계]]의 기초를 형성했다. ...3, American Institute of Physics, Niels Bohr Library & Archives] - Session III ...

...the Structure of Matter|journal=[[Annals of Science]]|last=Farrar|first=W.V.|year=1969|volume=25|issue=3|pages=243–254|doi=10.1080/00033796900200141}}< ...14|title=Handbook of Space Astronomy and Astrophysics|last=Zombeck|first=M.V.|year=2007|edition=3rd|publisher=Cambridge University Press|page=14|isbn=97 ...