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...물질을 [[불순물 반도체]]라 한다. 높은 수준으로 도핑된 반도체는 반도체보다 [[도체]]에 가까운데, 이를 [[축퇴한 반도체|축퇴 반도체]]라 한다. ...30110}} filed, 1944, granted 1950</ref> 그가 일하던 회사는 [[레이더]]에 관한 연구를 요구하여 그의 반도체 도핑에 대한 연구는 거부되었다. ...

===반도체 제조 애플리케이션=== ====반도체 제조의 CVD 방법==== ...

...})은 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 [[금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터]] (MOSFET)의 특정 종류이다. 다른 [[전력 반도체 소자]] ([[절연 게이트 양극성 트랜지스터]] (IGBT), [[사이리스터]]들에 비해 주요한 장점은 낮은 전압에서 통신 속도가 빠르 ...전함에 따라 제조가 가능했으며 1970년대 후반에 [[집적회로]] 제조가 개발되었다. 전력 모스펫은 저전력 중 하나인 [[금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터|측면 모스펫]]의 동작법칙을 공유한다. ...

...기의 혼합물로부터 성장시킬 수 있다. 기상 에피택시(vapor-phase epitaxy; VPE)는 전자소자에서 사용되는 특히 중요한 반도체 재료의 원천이다. GaAs와 같은 일부 화합물은 다른 방법보다는 기상 에피택시 기법에 의하여 보다 순수하고 결정구조가 완전하게 성장시킬 ...pitaxy(OMVPE)] 성장이라는 것이다. MOCVD에서, 초순수 가스는 반응기에 주입되고 미세하게 도핑되어 매우 얇은 원자 층을 반도체 웨이퍼 상에 증착시킨다. 요구되는 화학 원소를 포함하는 유기 화합물 또는 금속 유기물 및 수소화물의 표면 반응은 물질 및 화합물 반도체 ...

== 제조 == * 화합물 반도체 공정에서 [[인듐 인화물]]에 대해 선택적으로 [[인듐 갈륨 비소화물]]을 에칭하기 위해<ref>[http://terpconnect.u ...

...(FET)이다. 줄여서 '''MOSFET'''({{llang|ko|모스펫}})이라고도 한다. 모스펫은 [[N형 반도체]]나 [[P형 반도체]] 재료 ([[반도체소자]] 참조)의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 크게 엔모스펫 (NMOSFET)나 피모스펫 (PMOSFE === 금속 산화막 반도체 구조 === ...

베릴륨은 항공우주, 원자력, 금속 공업, [[세라믹]] 제조 등에 널리 사용되며, [[합금]]의 형태로 치과용 재료, 전자 제품, 스포츠 용품, [[휠체어]] 및 각종 도구를 제작하는 데 쓰인다. 베릴륨은 방열을 요하는 [[전자 회로]]에서 [[인쇄 회로 기판]]과 방열판으로 사용되며, [[반도체]] 첨가물, [[트랜지스터]]와 X선관의 창으로 사용되기도 한다.<ref name=osha2/><ref name=Emsley/> 특히 ...

암모니아는 냉매, 용매, 소독세정제로 이용되고 합성수지 제조 등 화학공업의 다양한 분야에 널리 사용되고 있다. * [[요소수]] 제조 원료 ...