검색 결과

* [[트랜지스터]](TR) : 증폭 작용 및 스위칭 역할을 하는 [[반도체 소자]]이다. 전자의 이동도를 정공의 이동도보다 크게 한 [[NPN]] 형을 많이 이용한다. * [[반도체 소자]] ...

'''전자회로 소자'''는 고체 내 전자의 [[전기전도|전도]](傳導)를 이용한 전자 부품 즉, 다이오드, 태양 전지, 트랜지스터 등을 이르는 말이다. 전 == 전자회로 소자 분류 == ...

[[분류:반도체 소자]] ...

증폭, 정류같은 능동 동작이 가능한 [[반도체 공학]] 소자 {{반도체}} ...

'''광다이오드'''({{lang|en|photodiode|포토다이오드}})란 [[광검출기]]같은 기능이 있는 [[반도체]] [[다이오드]]이다. 광다이오드는 소자의 민감한 부분에 빛이 들어오도록 창이나 [[광섬유]] 연결 패키지가 있다. 또한 창없이 [[ * [[암전류]]: 암전류는 광전도 방식으로 동작할 때는 입력되는 빛 신호가 없어도 광다이오드를 지나간다. 암전류는 기본 반사능과 반도체 접합의 포화 전류에 의하여 생성된 광전류를 포함한다. 만약 광다이오드를 정확한 광학 세기 측정에 사용하려면 광전류는 반드시 [[교정 ( ...

...큰 전력을 처리하기 위해 설계된 [[금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터]] (MOSFET)의 특정 종류이다. 다른 [[전력 반도체 소자]] ([[절연 게이트 양극성 트랜지스터]] (IGBT), [[사이리스터]]들에 비해 주요한 장점은 낮은 전압에서 통신 속도가 빠르고 효 ...전함에 따라 제조가 가능했으며 1970년대 후반에 [[집적회로]] 제조가 개발되었다. 전력 모스펫은 저전력 중 하나인 [[금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터|측면 모스펫]]의 동작법칙을 공유한다. ...

...회로]] 소자의 [[집적 회로]] 외에 [[아날로그 스위치]]/전자 볼륨에도 응용된다. [[극초단파]]이상에서는 [[규소]]보다 [[반도체|캐리어]]의 이동도가 빠른 [[갈륨 비소]](GaAs)와 같은 화합물 반도체를 이용한 FET가 사용되고 있다. == 금속 산화물 반도체 장효과 트랜지스터 (MOSFET) == ...

...쳐 동일한 격자상수를 갖는다. 따라서 3원소 화합물인 Al_xGa_1-xAs는 조성비 x를 원하는 소자 특성에 맞게 선택하여 GaAs 웨이퍼 위에 형성될 수 있다. 이때 형성된 에피택시얼층은 GaAs 기판과 정합된 상태이다. ...기의 혼합물로부터 성장시킬 수 있다. 기상 에피택시(vapor-phase epitaxy; VPE)는 전자소자에서 사용되는 특히 중요한 반도체 재료의 원천이다. GaAs와 같은 일부 화합물은 다른 방법보다는 기상 에피택시 기법에 의하여 보다 순수하고 결정구조가 완전하게 성장시킬 ...

...[[신호 (전자공학)|전자 신호]] 및 전력을 [[증폭 회로|증폭]]하거나 [[스위칭 (전기)|스위칭]]하는 데 사용되는 [[반도체 소자]]이다.<ref>[https://www.youtube.com/watch?v=1fdQ_8k1sLU 트랜지스터, 어떻게 작동 합니까?]. * 소자 몇개로 구성할 수 있다. ...

...(FET)이다. 줄여서 '''MOSFET'''({{llang|ko|모스펫}})이라고도 한다. 모스펫은 [[N형 반도체]]나 [[P형 반도체]] 재료 ([[반도체소자]] 참조)의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 크게 엔모스펫 (NMOSFET)나 피모스펫 (PMOSFE === 금속 산화막 반도체 구조 === ...

! 소자 !! 특별한 성질 (단위) !! 미분방정식 Williams의 반도체 memristor는 미래의 컴퓨터에서{{출처|날짜=2015-11-14}} 트랜지스터를 대체할 수 있고, 더 높은 회로밀도를 제공하는 [ ...