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- ...니라 이전 입력의 영향 또한 함께 받는 [[순차 논리]]와는 구별된다. 현재 입력만으로 출력이 결정되기 때문에 조합 논리에는 [[기억 장치]]가 쓰이지 않는다. ...저장된 데이터를 받게 된다. 실제 컴퓨터 회로에서는 일반적으로 조합 논리와 순차 논리가 함께 쓰인다. 예를 들어 [[산술 논리 연산 장치]](ALU)의 경우 수학적인 계산은 조합 논리로 구성하고 처리 순서를 조절하는 데는 순차 논리를 쓰는 식이다. ...2 KB (194 단어) - 2025년 3월 3일 (월) 05:33
- ...의 내용에 대한 논리적인 비교를 하여 '보다 작다'·'보다 크다' 등의 조건을 정하는 하드웨어 전자 장치이다. 비교기는 [[중앙 처리 장치]](CPU)와 [[마이크로컨트롤러]](MCU)에 사용된다. 디지털 비교기를 예시로 들면 CMOS 4063과 4585, 그리고 TTL 7 ...2 KB (76 단어) - 2024년 9월 15일 (일) 12:23
- ...729}}: [[IBM]]에서 제작한 [[테이프 드라이브]]. 1950년대 후반에서 1960년대 중반까지 IBM의 상징적인 [[기억 장치]]였다. ...2 KB (20 단어) - 2025년 1월 31일 (금) 07:55
- ...징 기법'''({{lang|en|paging}})은 컴퓨터가 [[기억 장치|메인 메모리]]에서 사용하기 위해 [[기억 장치|2차 기억 장치]]{{Efn|Initially [[드럼 메모리|drums]], and then [[하드 디스크 드라이브|hard disk drive]] ...6 KB (211 단어) - 2024년 4월 20일 (토) 02:27
- ...연산]]을 이용하여 [[교체 연산|교체]](swap)하는 알고리즘이다. 이 알고리즘은 [[컴퓨터 프로그래밍]] 분야에서 [[중앙 처리 장치|프로세서]]의 최적화 능력이 부족했을 때 대안으로 자주 사용되었다. ...같으므로 아무 일도 일어 나지 않아야 하지만, 위 알고리즘은 첫 문장에서 ''X''와 ''Y''를 모두 0으로 초기화해 버리기 때문에 기억 장소에는 0이 저장된다. 만약 위의 알고리즘을 임의의 경우에도 쓸 수 있게 하려면 다음과 같은 수정이 필요하다. ...5 KB (277 단어) - 2025년 3월 8일 (토) 11:50
- [[컴퓨터]]의 [[주기억장치]]나 [[CPU 캐시]], [[중앙 처리 장치|레지스터]]를 이루는 기본 회로 가운데 하나이다. 그 구조는 [[계전기]] (릴레이)를 이용한 '''[[계전기|자기 보관유지 회로]] ...처리 장치|레지스터]]같은 비교적 소용량으로 고속성이 요구되는 곳에 사용하고 주기억에는 주로 [[디램]]을 이용하는 것처럼 [[캐시|기억 계층]]을 구성해서 다른 회로방식의 기억장치와 조합한 형태로 사용되는 것이 많다. ...19 KB (932 단어) - 2025년 3월 9일 (일) 01:45
- [[컴퓨터 과학]]에서는 정보를 종류에 따라 올바르게 처리하고 [[기억 장치]]를 효율적으로 사용하기 위해, 수에 부호를 부여하여 [[부호 있는 수]]({{llang|en|[[:en:Signed number re ...12 KB (662 단어) - 2024년 5월 3일 (금) 18:54
- ...단자에 인가되는 입력의 적분 값에 의해 결정된다.<ref name="Williams08"/> 전류의 마지막 양의 요소가 통과할 때 “기억”하기 때문에 그것은 Chua에 의해 '''memristor'''라고 이름 붙여졌다. memristor는 전류의 시간 적분인 전하와 전압 ...-07}}</ref>같은 생물학적 구조가 정의에 맞다고 주장했다. 다른 이들은 [[:en:HP Labs|HP 연구소]]에서 개발 중인 기억 소자와 [[:en:RRAM|RRAM]]의 다른 형태는 memristor가 아니라 오히려 가변 저항 시스템<ref name="Clarke ...50 KB (3,300 단어) - 2025년 3월 3일 (월) 04:50
- ** {{임시링크|IBM 3480 시리즈|en|IBM 3480 family}}: [[IBM]]의 기억 장치 시리즈. ...39 KB (1,354 단어) - 2025년 3월 18일 (화) 00:46
- | [[초인 기억 수정]](펨토초동안 유리에 레이저를 쏘아서 데이터를 저장하는 방식)의 예측된 수명이다. 이 방법은 영국의 [[사우햄프턴 대학]]에서 개 | [[나노셔틀 기억 장치]](분자 스위치를 탄소 나노튜브를 통해 옮기는 데 철 나노입자를 이용)의 기대 수명이다. 이것은 [[버클리 대학교]]에서 개발하였다.< ...105 KB (8,660 단어) - 2025년 3월 13일 (목) 09:04