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...큰 전력을 처리하기 위해 설계된 [[금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터]] (MOSFET)의 특정 종류이다. 다른 [[전력 반도체 소자]] ([[절연 게이트 양극성 트랜지스터]] (IGBT), [[사이리스터]]들에 비해 주요한 장점은 낮은 전압에서 통신 속도가 빠르고 효 == 스위치 동작 == ...

...), "소스-드레인 마스크처럼 게이트를 이용하여 제작된 저항층 게이트 전계효과 트랜지스터 (IGFET)", 페이지 16.6 국제 전자 소자 미팅, 워신턴 D.C., 1966년.</ref> 은 금속이나 다결정(polycrystal) [[규소|실리콘]]으로 만든 스스로 정렬된 [[마이크로미터]]보다 작은 채널길이를 갖는 모스펫의 생산은 도전이었고, 반도체 소자 제조에서의 문제점은 항상 집적회로 기술을 발전시키는 데 제한 요소이다. 최근에 모스펫이 작아져서 동작문제를 발생시켰다. ...

! 소자 !! 특별한 성질 (단위) !! 미분방정식 한번의 스위치 전환(switching) 동안 에너지 소비 관점에서 문제를 풀어보면, memeristor가 시간 ''T''_on부터 ...