완화 시간

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틀:위키데이터 속성 추적 물리계가 비평형 상태에서 평형 상태로 변화하는 것을 완화(緩和, relaxation)이라고 부른다. 이 때, 완화에 걸리는 시간을 완화 시간(緩和時間, relaxation time)이라고 부른다.

볼츠만 운송 방정식

틀:본문

전자의 파동 벡터가 k일 때, 외부에서 field F를 걸어주면 전자는 다음과 같은 식을 만족하며 변한다.

dkdt=F

t초일 때 위치가 r, 파동 벡터가 k인 전자의 확률밀도함수를 f(k,r,t)로 나타내고 이를 전자의 분포함수라고 부른다.

우선 전자의 상태가 산란되지 않고 외부에서 가해준 힘에 의해서만 변한다고 가정하면 전자는 dt 이후에 위치는 r+r˙dt, 파동 벡터는 k+k˙dt인 상태가 되므로 역으로 rr˙dt, kk˙dt 인 상태가 dt초 후에 f(k,r,t)인 상태로 변한다고 볼 수 있다.

따라서 분포함수의 변화율은 다음과 같다.

(dfdt)drift=[f(kk˙dt,rr˙dt,tdt)f(k,r,t)]/dt

이는 연속적인 전자의 흐름과 관계되므로 표류기간이라고 부른다.

f(kk˙dt,rr˙dt,tdt)을 다음과 같이 테일러 전개하여

f(kk˙dt,rr˙dt,tdt)=f(k,r,t)[k˙fk+r˙fr+ft]dt

이를 대입하면 표류기간은 다음과 같다.

(dfdt)drift=[k˙kf+vrf+ft]=[1(Fkf)+vrf+ft]

한편, 전자는 충돌(collision)에 의한 분포함수의 변화율까지 고려해서 평형상태를 유지해야 하므로 표류에 의한 분포함수 변화율과 충돌에 의한 분포함수 변화율의 합은 0이어야 한다.

(dfdt)drift+(dfdt)coll=0

따라서 충돌에 의한 분포함수 변화율 식은 다음과 같다.

(dfdt)coll=1(Fkf)+vrf+ft

이를 볼츠만의 운송 방정식이라 한다.

완화 시간

크리스탈이 uniform 하고 분포함수이 위치에 따라 무관하다고 가정하자.

이때 분포함수 f(k)는 k' 상태에서 k 상태로의 전이로 인해 증가하고, k 상태에서 k'상태로의 전이로 인해 감소한다.

이에 해당하는 단위 시간당 전이 확률을 각각 P(k',k), P(k,k')라 한다면 충돌 항은 다음과 같이 쓸 수 있다.

(dfdt)coll=kP(k,k)f(k)[1f(k)]P(k,k)f(k)[1f(k)]

여기서 f(k)[1f(k)] term 은 전자가 k'상태에 존재하고 k 상태에 존재하지 않을 확률을 나타낸다.

Fermi level 이 conduction band의 bottom 에 놓여 있는 간단한 상황을 생각해보면 f(k)와 f(k')이 매우 작다고 할 수 있다.

이때 열적 평형에서의 distribution function을 f0(k) 로 정의하면 collision에 의한 distribution function 변화율은 0이어야 하므로 다음의 관계식을 얻는다.

P(k,k)f0(k)=P(k,k)f0(k)

이를 이용하면 collision에 의한 distribution function 변화율은 다음과 같다.

(dfdt)coll=kP(k,k)[f(k)f(k)f0(k)f0(k)]=V(2π)3d3kP(k,k)[f(k)f(k)f0(k)f0(k)]

여기서 V는 크리스탈의 부피이다.

외부 field 가 매우 작고 distribution function이 열적평형에 가까우며 scattering에 의한 에너지 변화가 매우 작은 탄성 충돌이라고 가정하면 다음의 식이 성립한다.

f(k)=f0(k)+f1(k)
f1(k)<<f0(k)
f0(k)f0(k)

이를 통해 다음과 같은 식이 만족하므로

(dfdt)coll=f1(k)V(2π)3d3kP(k,k)[1f1(k)f1(k)]f1(k)τ(k)f(k)f0(k)τ(k)

collision의 relaxation time을 다음과 같이 정의할 수 있다.

1τ(k)=V(2π)3d3kP(k,k)[1f1(k)f1(k)]

한편, relaxation time approximation 을 이용하여 Boltzmann transport equation 은 다음과 같이 relaxation time으로 표현할 수 있고

1(Fkf)+vrf+ft=ff0τ

공간적으로 uniform 하고 steady state 일 때 위 식은 다음과 같이 간단하게 나타낼 수 있다.

1(Fkf)=f1τ

만약 외부에서 걸어주는 field 가 x 방향이라면

f1=τFxfkx=τFxfEEkx=τvxFxfE

위 식이 만족하고, 여기서 vx=kxm* 이고 m*는 전자의 effective mass이다.

f=f0+f1f0>>f1을 이용하면
f1=τvxFxf0E

로 근사할 수 있고 이 식을 relaxation time 식에 대입하면 다음과 같은 식을 얻게 된다.

1τ(k)=V(2π)3d3kP(k,k)[1k'xkx]=V(2π)3d3kP(k,k)[1cosθ]

여기서 θ는 k와 k'사이 각을 의미한다.

같이 보기

참고 문헌

  • C. Hamaguchi, Basic Semiconductor Physics,Springer,pages 196-252