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{{위키데이터 속성 추적}} [[파일:Fluorescent light strip 2 tube.JPG|섬네일|upright=1.3|[[형광등]]은 부성 미분 저항을 지니는 장치이다.<ref name="Sinclair">{{서적 인용 | last = Sinclair | first = Ian Robertson | title = Sensors and transducers, 3rd Ed. | publisher = Newnes | date = 2001 | location = | pages = 69–70 | url = https://books.google.com/books?id=s_WIb91uKK8C&pg=PA69&dq=%22gas+discharge%22+%22negative+resistance | doi = | id = | isbn = 978-0750649322}}</ref><ref name="Kularatna">{{서적 인용 |last = Kularatna |first = Nihal |title = Power Electronics Design Handbook |publisher = Newnes |date = 1998 |pages = 232–233 |url = https://books.google.com/books?id=IBx801tIgjYC&pg=PA233&lpg=PA233&dq=%22negative+resistance |isbn = 978-0750670739 |url-status = live |archiveurl = https://web.archive.org/web/20171221182853/https://books.google.com/books?id=IBx801tIgjYC&pg=PA233&lpg=PA233&dq=%22negative+resistance |archivedate = 2017-12-21 }}</ref> 동작 중에 형광막을 통해 흐르는 전류가 증가하면서 이를 가로지르는 전압이 떨어진다. 막이 전선에 직접 연결되어 있다면 막 전압이 떨어질 경우 더욱 더 많은 전류가 흐르게 되어 [[아크 섬락]]이 발생하고 스스로 파괴한다.<ref name="Sinclair" /><ref name="Aluf">{{서적 인용|last = Aluf |first = Ofer |title = Optoisolation Circuits: Nonlinearity Applications in Engineering |publisher = World Scientific |date = 2012 |pages = 8–11 |url = https://books.google.com/books?id=DRui7sQTwRYC&pg=PA9 |isbn = 978-9814317009 |url-status = live |archiveurl = https://web.archive.org/web/20171221182851/https://books.google.com/books?id=DRui7sQTwRYC&pg=PA9 |archivedate = 2017-12-21}} This source uses the term "absolute negative differential resistance" to refer to active resistance</ref> 이를 예방하기 위해 형광막은 [[전기 밸러스트|밸러스트]](ballast)를 통해 전선에 연결된다. 밸러스트는 양[[온저항|임피던스]](AC 저항)을 회로에 추가하여 전류를 제한시킴으로써 형광막의 부성 저항에 대처한다.<ref name="Sinclair" />]] [[일렉트로닉스]]에서 '''부저항'''(負抵抗, negative resistance, '''NR''')은 일부 [[전기 회로]]와 장치의 한 속성이며 여기서 장치의 끝단을 가로지르는 [[전압]]이 증가하면 이를 가로지르는 [[전류]]가 감소하게 된다.<ref name="Amos">{{서적 인용 | last1 = Amos | first1 = Stanley William | last2 = Amos | first2 = Roger S. | last3 = Dummer | first3 = Geoffrey William Arnold | title = Newnes Dictionary of Electronics, 4th Ed. | publisher = Newnes | date = 1999 | location = | page = 211 | url = https://books.google.com/books?id=lROa-MpIrucC&pg=PA211&lpg=PA211&dq=%22negative+resistance | doi = | id = | isbn = 978-0750643313}}</ref><ref name="Graf">{{서적 인용 |last = Graf |first = Rudolf F. |title = Modern Dictionary of Electronics, 7th Ed. |publisher = Newnes |date = 1999 |page = 499 |url = https://books.google.com/books?id=AYEKAQAAQBAJ&pg=PA499&dq=%22negative+resistance |isbn = 978-0750698665 |url-status = live |archiveurl = https://web.archive.org/web/20171221182851/https://books.google.com/books?id=AYEKAQAAQBAJ&pg=PA499&dq=%22negative+resistance |archivedate = 2017-12-21 }}</ref> 이는 영향을 받는 전압이 증가할 때 [[옴의 법칙]]으로 인해 전류의 양이 상대적으로 증가하면서 양[[전기저항|저항]]을 일으키는 일반적인 [[저항기]]와는 대조된다.<ref name="Shanefield">{{서적 인용 | last = Shanefield | first = Daniel J. | title = Industrial Electronics for Engineers, Chemists, and Technicians | publisher = Elsevier | date = 2001 | location = | pages = 18–19 | url = https://books.google.com/books?id=DUmwY0QJk28C&pg=PA19 | doi = | id = | isbn = 978-0815514671}}</ref> 양저항이 이를 경유하여 전달되는 전류로부터 전기를 소비하는 반면 부저항은 발전(發電)한다.<ref name="Carr"/><ref name="Groszkowski">{{서적 인용 |last1 = Groszkowski |first1 = Janusz |title = Frequency of Self-Oscillations |publisher = Pergamon Press - PWN (Panstwowe Wydawnictwo Naukowe) |date = 1964 |location = Warsaw |pages = 45–51 |url = https://books.google.com/books?id=H_ZFBQAAQBAJ&pg=PA45 |isbn = 978-1483280301 |url-status = live |archiveurl = https://web.archive.org/web/20160405074841/https://books.google.com/books?id=H_ZFBQAAQBAJ&pg=PA45 |archivedate = 2016-04-05 }}</ref> 특정한 상황에서 전기 신호의 힘을 증가시켜 신호를 [[앰프|증폭]]시킬 수 있다.<ref name="Aluf" /><ref name="Gottlieb">{{서적 인용 |last = Gottlieb |first = Irving M. |title = Practical Oscillator Handbook |publisher = Elsevier |date = 1997 |pages = 75–76 |url = https://books.google.com/books?id=e_oZ69GAuxAC&pg=PA75&dq=%22negative+resistance |isbn = 978-0080539386 |url-status = live |archiveurl = https://web.archive.org/web/20160515053022/https://books.google.com/books?id=e_oZ69GAuxAC |archivedate = 2016-05-15 }}</ref><ref name="Kaplan">{{저널 인용 |first = Ross M. |last = Kaplan |title = Equivalent circuits for negative resistance devices |version = Technical Report No. RADC-TR-68-356 |publisher = Rome Air Development Center, US Air Force Systems Command |pages = 5–8 |date = December 1968 |url = http://www.dtic.mil/dtic/tr/fulltext/u2/846083.pdf |accessdate = September 21, 2012 |url-status = live |archiveurl = https://web.archive.org/web/20140819082258/http://www.dtic.mil/dtic/tr/fulltext/u2/846083.pdf |archivedate = August 19, 2014 }}</ref> 부저항은 일부 [[선형 회로|비선형]] 전기 부품들에 나타나는 흔치 않은 속성이다. 비선형 장치에서 두 종류의 저항을 정의할 수 있다: 1) '전압/전류'(<math>v/i\,</math>) 비율인 정적(static)/절대 저항(absolute resistanec), 2) '전압 변화/결과가 되는 전류'(<math>\Delta v/\Delta i</math>) 비율인 미분 저항(differential resistance). 부저항이라는 용어는 '''부성 미분 저항'''(negative differential resistance, NDR), 즉 <math>\Delta v/\Delta i\;<\;0</math>을 의미한다. 일반적으로 부성 미분 저항은 2개의 끝단을 지니는 컴포넌트로서, 끝단에 적용된 [[직류]] 전원을 [[앰프|증폭]]시키고,<ref name="Aluf" /><ref name="Suzuki">"''In semiconductor physics, it is known that if a two-terminal device shows negative differential resistance it can amplify.''" {{저널 인용 |last1 = Suzuki |first1 = Yoshishige |last2 = Kuboda |first2 = Hitoshi |title = Spin-torque diode effect and its application |journal = Journal of the Physical Society of Japan |volume = 77 |issue = 3 |pages = 031002 |date = March 10, 2008 |url = http://jpsj.ipap.jp/link?JPSJ/77/031002/ |doi = 10.1143/JPSJ.77.031002 |accessdate = June 13, 2013 |bibcode = 2008JPSJ...77c1002S |url-status = live |archiveurl = https://web.archive.org/web/20171221182851/http://jpsj.ipap.jp/link?JPSJ%2F77%2F031002%2F |archivedate = December 21, 2017 }}</ref> 이를 [[교류]] 전력으로 변환하여 동일한 끝단에 적용된 교류 전기신호를 증폭시킬 수 있다.<ref name="Carr">{{서적 인용 |last = Carr |first = Joseph J. |title = Microwave & Wireless Communications Technology |publisher = Newnes |date = 1997 |location = USA |pages = 313–314 |url = https://books.google.com/books?id=1j1E541LKVoC&pg=PA314&dq=%22negative+differential+resistance%22+amplify |isbn = 978-0750697071 |url-status = live |archiveurl = https://web.archive.org/web/20170707111723/https://books.google.com/books?id=1j1E541LKVoC&pg=PA314&dq=%22negative+differential+resistance%22+amplify |archivedate = 2017-07-07}}</ref><ref name="Iniewski">{{서적 인용 | last = Iniewski | first = Krzysztof | title = Wireless Technologies: Circuits, Systems, and Devices | publisher = CRC Press | date = 2007 | location = | page = 488 | url = https://books.google.com/books?id=JJXrpazX9FkC&pg=PA488&lpg=PA488&dq=%22negative+resistance%22+amplification+bias | doi = | id = | isbn = 978-0849379963}}</ref> [[발진 (전기공학)|발진기]]와 [[앰프]]에 사용된다.<ref name="Shahinpoor">{{서적 인용 | last1 = Shahinpoor | first1 = Mohsen | last2 = Schneider | first2 =Hans-Jörg | title = Intelligent Materials | publisher = Royal Society of Chemistry | date = 2008 | location = London | page = 209 | url = https://books.google.com/books?id=Hmq4ctnA1KIC&pg=PA209 | doi = | id = | isbn = 978-0854043354}}</ref> (특히 [[마이크로파]] 주파수에서) 대부분의 마이크로파 에너지는 부성 미분 저항으로 만들어진다.<ref name="Golio">{{서적 인용 |last = Golio |first = Mike |title = The RF and Microwave Handbook |publisher = CRC Press |date = 2000 |pages = 5.91 |url = https://books.google.com/books?id=UIHMnx0k9oAC&pg=SA5-PA91 |isbn = 978-1420036763 |url-status = live |archiveurl = https://web.archive.org/web/20171221182851/https://books.google.com/books?id=UIHMnx0k9oAC&pg=SA5-PA91 |archivedate = 2017-12-21 }}</ref> 이들은 [[이력 현상]]을 보일 수 있으며<ref name="Kumar2">{{저널 인용 |last = Kumar |first = Umesh |title = Design of an indiginized negative resistance characteristics curve tracer |journal = Active and Passive Elect. Components |volume = 23 |pages = 1–2 |publisher = Hindawi Publishing Corp. |date = April 2000 |url = http://downloads.hindawi.com/journals/apec/2000/969073.pdf |accessdate = May 3, 2013 |url-status = live |archiveurl = https://web.archive.org/web/20140819125752/http://downloads.hindawi.com/journals/apec/2000/969073.pdf |archivedate = August 19, 2014 }}</ref> [[쌍안정]]할 수 있으므로 [[스위칭 회로 이론|스위칭]]과 [[반도체 메모리|메모리]] 회로에 사용된다.<ref name="Beneking">{{서적 인용 |last = Beneking |first = H. |title = High Speed Semiconductor Devices: Circuit aspects and fundamental behaviour |publisher = Springer |date = 1994 |pages = 114–117 |url = https://books.google.com/books?id=HdDXZRioqWkC&pg=PA115&lpg=PA115&dq=%22negative+resistance+(NR)%22+oneport |isbn = 978-0412562204 |url-status = live |archiveurl = https://web.archive.org/web/20171221182851/https://books.google.com/books?id=HdDXZRioqWkC&pg=PA115&lpg=PA115&dq=%22negative+resistance+(NR)%22+oneport |archivedate = 2017-12-21 }}</ref> 부성 미분 저항을 지니는 장치들으 예로는 [[터널 다이오드]], [[건 다이오드]], [[네온등]] 등의 [[방전관]], [[형광등]]을 들 수 있다. == 각주 == {{각주}} == 추가 문헌 == *{{서적 인용| last = Gottlieb | first = Irving M. | title = Practical Oscillator Handbook | publisher = Elsevier | date = 1997 | location = | pages = | url = https://books.google.com/books?id=e_oZ69GAuxAC&pg=PA75&dq=%22negative+resistance | doi = | id = | isbn = 978-0080539386}} How negative differential resistance devices work in oscillators. *{{서적 인용| last = Hong | first = Sungook | title = Wireless: From Marconi's Black-Box to the Audion | publisher = MIT Press | date = 2001 | location = USA | pages = | url = http://monoskop.org/images/f/f4/Hong_Sungook_Wireless_From_Marconis_Black-Box_to_the_Audion.pdf | doi = | id = | isbn = 978-0262082983}}, ch. 6 Account of discovery of negative resistance and its role in early radio. *{{웹 인용| last = Snelgrove | first = Martin | title = Negative resistance circuits | encyclopedia = AccessScience Online Encyclopedia | publisher = McGraw-Hill | date = 2008 | url = http://www.accessscience.com/content/negative-resistance-circuits/446710 | doi = | accessdate = May 17, 2012}} Elementary one-page introduction to negative resistance. {{전거 통제}} [[분류:전기]] [[분류:마이크로파 기술]] [[분류:물리량]]
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틀:각주
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